пїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅ
пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ
пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅ09/2006
УДК 535:621.375
Лазерная модификация структуры фоточувствительной стеклокерамики / В. П. Вейко, Г. К. Костюк, Н. В. Никоноров, А. Н. Рачинская // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 5—9.
Экспериментально показана возможность лазерной кристаллизации фоточувствительной стеклокерамики под действием излучения СО2-лазера, что открывает новые возможности для создания микрообластей с измененными физико-химическими свойствами, разработки на их основе микрокомпонентов и устройств для оптоэлектроники и техники связи.
Ил. 4, библиогр. 8.
УДК 535.211;539.3+37;678.01
ЛАЗЕРНЫЙ СВЕЛЛИНГ ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ / А. Ю. Малышев, Н. М. Битюрин// Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 9—13.
Рассмотрена теоретическая модель лазерного свеллинга полимеров для одного из механизмов, основанного на образовании термоупругой волны при поглощении лазерного импульса. Растягивающие напряжения в этой волне приводят к упругой и пластической деформациям полимера в нагретой области и образованию выпуклых структур. Аналитически получено выражение для пороговой плотности энергии лазерного импульса, определяющее формирование остаточной выпуклой структуры на поверхности среды. Получена формула для высоты этой выпуклости. Модель позволила объяснить опубликованные ранее экспериментальные данные по лазерному свеллингу полиметилметакрилата.
Ил. 3, библиогр. 9.
УДК 539.216.2, 537.9, 535.3
Лазерное напыление тонких пленок европиево-боратного стекла и их оптические свойства/ А. С. Александровский, А. С. Крылов, А. И. Зайцев, А. В. Замков, А. М. Поцелуйко, В. А. Середкин// Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 13—18.
Тонкие пленки ЕuВ-стекла получены напылением с помощью эксимерного лазера на XeCl. Оптические спектры пленок не указывают на присутствие Eu3+, в отличие от материала мишени. Исследованы спектры магнитного кругового дихроизма пленок.
Ил. 7, библиогр. 16.
УДК 621.315.592
Численное моделирование динамики фазовых переходов в теллуриде кадмия при наносекундном лазерном воздействии/С. П. Жвавый, Г. Л. Зыков // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 19—24.
Проведено численное моделирование динамики фазовых переходов, инициируемых в CdTe наносекундным излучением рубинового лазера. Показано, что испарение атомов кадмия приводит к охлаждению поверхности, формируя немонотонный профиль температурного поля с максимальной температурой, находящейся в объеме полупроводника на расстоянии ~ 20 нм от поверхности. Образовавшийся под поверхностью расплав при плотности энергии излучения, превышающей пороговое значение, распространяется как к поверхности, так и в объем полупроводника. В результате испарения и диффузии компонентов CdTe в расплаве происходит обогащение приповерхностной области теллуром.Использование при моделировании зависимостей температуры кристаллизации и скрытой теплоты фазового перехода от концентрации компонентов в расплаве позволило получить удовлетворительное согласие с экспериментальными данными по зависимости времени существования расплава от плотности энергии.
Ил. 3, табл. 2, библиогр. 16.
УДК 621.315.592
Динамика отражения и поглощения теллурида кадмия при лазерно-индуцированных фазовых превращениях/ Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 25—29.
Исследована динамика отражательной способности монокристалла CdTe на длинах волн l1 = = 1,06 и l2 = 0,53 мкм при воздействии на его поверхность излучения рубинового лазера в течение 80 нс. Показано, что лазерно-индуцированные фазовые превращения, происходящие в субмикронном слое монокристалла CdTe, приводят к различной динамике оптического отражения зондирующих пучков с энергиями квантов ниже и выше ширины запрещенной зоны данного полупроводника. Образование слоя жидкой фазы сопровождается существенным, на несколько порядков, возрастанием поглощения в ближней ИК-области спектра вследствие диссоциации бинарного расплава, т.е. разрыва ковалентных связей с соответствующим ростом концентрации свободных электронов. Установлено, что отражательная способность монокристалла CdTe на длине волны воздействующего излучения рубинового лазера равна 28 % в твердой фазе, возрастает с ростом температуры, достигает 36 % при плавлении и далее не меняется с увеличением энергии облучения до 0,36 Дж/см2.
Ил. 3, библиогр. 8.
УДК 666.655, 621.315.612
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЛАЗЕРНОГО ОТЖИГА ЭЛЕКТРОКЕРАМИЧЕСКИХ ПЛЕНОК / И. Г. Лебо // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 30—33.
Предлагается использовать ультрафиолетовый KrF-лазер для отжига тонких сегнетоэлектрических пленок. С помощью спектрометра измерено пропускание ВахSr(1–x)Ti2O3 пленок толщиной 150 и 300 мкм. Показано, что излучение на длине волны 0,25 мкм будет эффективно поглощаться в таких образцах. Использование лазера позволяет обеспечить кратковременный строго дозируемый нагрев образца. Благодаря высокой когерентности излучения можно формировать на поверхности образца интерференционные структуры с расстояниями между максимумами интенсивности 0,25 мкм. Локализация температурного поля позволяет минимизировать негативные процессы, связанные с диффузией отдельных компонентов, а широкие возможности изменения скорости поступления энергии в образец позволяют проводить исследования физических процессов в „режиме реального времени“. Лазерное излучение дает возможность нагревать образцы в глубоком вакууме и в атмосфере инертных газов, т.е. обеспечивать „идеальную чистоту“ технологической обработки. В статье дано описание программы и приводятся результаты численных расчетов двумерной задачи облучения и нагрева многослойных образцов. На основании численных расчетов подобраны параметры лазера для обеспечения необходимого температурного режима обработки образца.
Ил. 3, библиогр. 6.
УДК 681.778: 681.069
ГЕНЕРАЦИЯ НАНОСЕКУНДНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ ПРИ лазерном ОБЛУЧЕНИИ НАНОГРАФИТНЫХ ПЛЕНОК/ Г. М. Михеев, Р. Г. Зонов, А. Н. Образцов // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 33—38.
Показано, что облучение нанографитной пленки мощным излучением лазера с модуляцией добротности приводит к генерации наносекундных электрических импульсов за счет эффекта оптического выпрямления. Амплитуда электрических импульсов, снимаемых с нанографитной пленки с помощью двух параллельных электродов, существенно зависит от толщины и ширины пленки, а также длины электродов и расстояния между ними. Установлено, что максимальная амплитуда импульсов достигается при толщине пленки около 2—3 мкм. Обнаружено возрастание амплитуды электрических импульсов вблизи свободных краев нанографитной пленки. Показано, что возникающие фотоэлектрические импульсы на нанографитной пленке и кремниевой пластине имеют различную природу.
Ил. 4, библиогр. 11.
УДК: 535:621.373.826
ЛАЗЕРНЫЙ СИНТЕЗ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ/ В. С. Бураков, А. В. Буцень, Н. В. Тарасенко // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 38—42.
Биметаллические наноразмерные частицы Ag—Cu и Ag—Au синтезированы методом лазерной абляции комбинированной мишени, составленной из двух пластинок соответствующих металлов. Мишень помещалась в кювету с этанолом, для абляции использовалось излучение второй гармоники YAG-лазера (532 нм). Данные электронно-микроскопического анализа свидетельствуют о формировании сферических частиц с размерами 5—40 нм. Оптические спектры поглощения показали, что формируемые частицы характеризуются плазмонным резонансом, лежащим между полосами поглощения монометаллических частиц, что свидетельствует об их смешанном составе.
Ил. 3, библиогр. 14.
УДК 536.4
О НАЧАЛЕ ВЗРЫВНОГО ВСКИПАНИЯ ПРИ НАНОСЕКУНДНОМ НАГРЕВЕ / С. Н. Андреев, А. А. Самохин, И. Ю. Смуров // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 43—48.
Проанализировано условие начала взрывного вскипания при наносекундном лазерном нагреве прозрачной жидкости на поглощающей подложке при двух возможных режимах вскипания: гомогенной нуклеации и при достижении абсолютной неустойчивости — спинодали. Показано, что реализация этих режимов зависит от длительности лазерного импульса, поведения поверхностного натяжения перегретой жидкости вблизи спинодали, а также от конкретного вида выражения для вероятности зародышеобразования.
Ил. 4, библиогр. 9.
УДК 621.375.826
Лазерные технологические комплексы с регулируемыми амплитудно-временными параметрами импульсов излучения/ А. А. Аллас, В. М. Опре, А. В. Федоров // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 49—54.
Приводятся основные схемные решения импульсных источников питания твердотельных лазеров, даются рекомендации по их выбору в зависимости от длительности импульсов тока накачки. Представлены осциллограммы, показывающие взаимосвязь между формой импульсов тока ламп накачки и импульсами мощности лазерного излучения. Приведена информация о лазерных технологических комплексах, в которых использованы источники накачки, обеспечивающие регулирование амплитудно-временных параметров импульсов лазерного излучения.
Ил. 7, библиогр. 5.
УДК 621.373.826
КОНИЧЕСКИЕ ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ В ТЕХНОЛОГИЯХ ДИСПЕРСНЫХ МАТЕРИАЛОВ / Е. К. Науменко, Ю. А. Чивель // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 55—58.
Объектом исследования являются конические лазерные пучки в технологиях дисперсных материалов. Целью работы является исследование распространения конического лазерного пучка в плотной порошковой струе, нагрева и испарения микрочастиц порошковой струи лазерным излучением. Детально исследовано распространение конического лазерного пучка в плотной порошковой струе. Показано, что применение конических лазерных пучков в технологиях дисперсных материалов позволяет увеличить эффективность технологических процессов за счет значительного увеличения энерговклада в дисперсную среду благодаря повышению (102 раз) эффективной поверхности испарения и высокой поглощательной способности струи.
Ил. 3, библиогр. 6.
УДК 621.373.826
ЛАЗЕРНЫЕ СИСТЕМЫ ГЕНЕРАТОР—УСИЛИТЕЛЬ НА ПАРАХ МЕДИ ДЛЯ МИКРООБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ / Г. B. Азизбекян, Г. В. Григорян, М. А. Казарян, Н. А. Лябин, А. А. Мелконян, Г. Д. Мовсесян, В. С. Парамонов, Л. А Погосян // Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 59—62.
Приведены результаты по лазерной обработке материалов с помощью системы генератор—усилитель на парах меди. При уровне мошности до 20 Вт, длительности импульсов излучения около 20 нс, частоте повторения 10 кГц такая система обеспечивает в пятне фокусировки плотность мощности 109—1011 Вт/см2. Продемонстрирована универсальная возможность прецизионного сверления и резки металлов (молибден, медь, нержавеющая сталь) толщиной до 300 мкм и неметаллов (кремний, сапфир). Получено хорошее качество реза и отверстий при характерных размерах 5—100 мкм.
Ил. 3, библиогр. 8.
УДК 531.717
Применение метода весовой обработки для уменьшения влияния аддитивной помехи на погрешность измерения ширины колец дифракционной картины Эйри / Г. Д. Фефилов// Изв. вузов. Приборостроение. 2006. Т. 49, № 9. С. 63—67.
Методом имитационного моделирования исследовано влияние аддитивной помехи на погрешность измерения ширины колец дифракционной картины Эйри. Показано, что погрешность измерения ширины колец дифракционной картины Эйри выше 1 %, а использование традиционных методов уменьшения влияния аддитивной помехи малоэффективно, или приводит к обратному результату. Снизить погрешность измерения ширины колец дифракционной картины Эйри позволяет применение метода весовой обработки, при свертке анализируемого сигнала с оптимальной весовой функцией. Функциональное преобразование анализируемого сигнала осуществляется фильтром, имеющим конечную импульсную характеристику.
Табл. 2, библиогр. 9. |